CM150E3Y-24E
Artikelnummer CM150E3Y-24E
Hersteller IGBT Module
Beschreibung IGBT Modules
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Hersteller-Teilenummer CM150E3Y-24E Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller IGBT Module Beschreibung IGBT Modules
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Produktmodell

CM150E3Y-24E

Einführung

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Modul

Marke und Hersteller

IGBT Modul

Merkmale

Hohe Effizienz und Geschwindigkeit, geringer Energieverbrauch, hohe Strombelastbarkeit

Produktleistung

Unterstützt bis zu 150A Dauerkollektorstrom, maximale Kollektor-Emitter-Spannung von 1200V, hohe Schaltfrequenzen

Technische Spezifikationen

Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V, Kollektorstrom: 150A, Gate-Emitter-Spannung: ±20V, Leistungsabgabe: 430W

Abmessungen, Form und Verpackung

Standardmodulverpackung, rechteckige Form, Abmessungen entsprechen den Industriestandards für IGBT-Module

Qualität und Zuverlässigkeit

Für hohe Spannungs- und Strombelastungen ausgelegt, robuste thermische Leistung, lange Betriebslebensdauer unter den angegebenen Bedingungen

Produktvorteile

Optimiert für hochleistungsfähige Anwendungen, verbesserte Wärmemanagementfähigkeiten, reduzierte Schaltverluste

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Hohes Leistungs-Kosten-Verhältnis, geeignet für wettbewerbsintensive Märkte, die eine hohe Effizienz erfordern

Kompatibilität

Kompatibel mit Standard-Gate-Treibern für IGBTs, flexibel für verschiedene Schaltungskonfigurationen einsetzbar

Standardzertifizierung und Konformität

Erfüllt branchenübliche Sicherheits- und Leistungsstandards, RoHS-konform und andere Umweltvorschriften eingehalten

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für lange Lebensdauer mit minimalem Verschleiß ausgelegt, umweltfreundlich mit ungiftigen Materialien

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Elektrofahrzeug-Motorsteuerungen, Solarenergieumrichter, Industriemotorenantriebe, Hochleistungsschaltanwendungen

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