BFG235E6327
Artikelnummer BFG235E6327
Hersteller Infieon
Beschreibung BFG235E6327 Infieon
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Technische Information von BFG235E6327
Hersteller-Teilenummer BFG235E6327 Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
Hersteller Infieon Beschreibung BFG235E6327 Infieon
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Produktmodell

BFG235E6327

Einführung

Geräuscharmer Silizium-Bipolar-RF-Transistor

Marke und Hersteller

Infineon Technologies

Merkmale

Niedriges Geräuschmaß, hoher Gewinn bei hohen Frequenzen, Übergangsfrequenz typischerweise 8 GHz, Kollektorstrom bis zu 25 mA, Emitter-Basis-Spannung 3V

Produktleistung

Ausgezeichnete Linearität, hoher Rückflussverlust an Eingangs- und Ausgangsanschlüssen, optimiert für den Betrieb bei niedriger Spannung, ausgelegt für RF-Verstärkung und Mischen

Technische Spezifikationen

Typ: NPN, Gehäuse: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung: 12 V, Kollektor-Basis-Spannung: 20 V, Emitter-Basis-Spannung: 3 V

Abmessungen, Form und Verpackung

SOT-23-Gehäuse, kompakte Bauform, geliefert auf Rolle für automatisierte Montage

Qualität und Zuverlässigkeit

Unter strengen Qualitätskontrollen hergestellt, robust gegenüber Umwelteinflüssen

Produktvorteile

Überlegene Geräuschmaßleistung, ideal für Hochfrequenzanwendungen, hocheffizient für RF-Schaltungen

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähige Preise auf dem Markt für spezialisierte ICs, Leistung optimiert für Anwendungen mit hoher Nachfrage

Kompatibilität

Kompatibel mit gängigen SMT-Befestigungstechniken, einfach in bestehende Schaltungsdesigns integrierbar

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht den festgelegten Branchenstandards, REACH- und RoHS-konform

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Lange Betriebslebensdauer unter empfohlenen Bedingungen, ausgelegt für energieeffizienten Betrieb

Tatsächliche Anwendungsbereiche

RF-Verstärker in der mobilen Kommunikation, Satelliten-TV-Empfänger, Oszillatoren in der Industrie- und Unterhaltungselektronik, Anwendungen in Wireless LAN

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