| FQT3P20TF | |
|---|---|
| Artikelnummer | FQT3P20TF |
| Hersteller | onsemi |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4 |
| Verfügbare Menge | 12439 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.FQT3P20TF.pdf2.FQT3P20TF.pdf3.FQT3P20TF.pdf4.FQT3P20TF.pdf5.FQT3P20TF.pdf6.FQT3P20TF.pdf7.FQT3P20TF.pdf |
| Herunterladen | FQT3P20TF Einzelheiten PDF |
| FQT3P20TF Price |
Preis und Lieferzeit online anfordern or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technische Information von FQT3P20TF | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | FQT3P20TF | Kategorie | |
| Hersteller | onsemi | Beschreibung | MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4 |
| Paket / Fall | SOT-223-4 | Verfügbare Menge | 12439 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | SOT-223-4 |
| Serie | QFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 335mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V | Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 670mA (Tc) |
| Grundproduktnummer | FQT3P20 | FQT3P20TF Einzelheiten PDF [English] | FQT3P20TF PDF - EN.pdf |
| Herunterladen | FQT3P20TF Einzelheiten PDF | ||
Produktmodell
FQT3P20TF
Einführung
P-Kanal MOSFET speziell für Schaltanwendungen mit hoher Leistung konzipiert.
Marke und Hersteller
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Merkmale
P-Kanal, 200V, 670mA, Oberflächenmontage, SOT-223-4 Gehäuse
Produktleistung
Maximale Drain-Spannung: 200V
Stromdurchgang: 670mA bei 25°C
Maximale Rds On: 2,7 Ohm bei 335mA, 10V
Leistungsdissipation: 2,5W bei 25°C
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C
Technische Spezifikationen
Gatter-Schwellspannung: 5V bei 250µA
Gatterladung: 8nC bei 10V
Eingangskapazität: 250pF bei 25V
Ansteuerspannung: 10V
Maximale Gatter-Spannung: ±30V
Abmessungen, Form und Verpackung
TO-261-4, TO-261AA Gehäuse
Verpackt in Schnittband (CT)
Qualität und Zuverlässigkeit
Blei-frei, RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 1 (unbegrenzt)
Produktvorteile
Hohe Spannungsfähigkeit
Verbesserte Wärmemanagementleistung
Niedrige Einschaltwiderstand
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Wettbewerbsfähige Preise und Leistung für Leistungsschaltungsanwendungen
Kompatibilität
Kompatibel mit Standard-Prozessen für Oberflächenmontage
Standardzertifizierung und Konformität
Blei-frei, RoHS-konform
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Robuste Bauweise für industrielle Anwendungen geeignet
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Leistungsschaltung in Verbraucher- und Industrieelektronik
Mailen Sie uns: Info@Ariat-Tech.com oder RFQ FQT3P20TF Online.
| FQT3P20TF-Lager | FQT3P20TF Preis | FQT3P20TF-Elektronik | |||
| FQT3P20TF-Komponenten | FQT3P20TF Inventar | FQT3P20TF Digikey | |||
| Lieferant FQT3P20TF | FQT3P20TF online bestellen | Anfrage FQT3P20TF | |||
| FQT3P20TF-Bild | FQT3P20TF Bild | FQT3P20TF PDF | |||
| FQT3P20TF Datenblatt | FQT3P20TF Datenblatt herunterladen | Hersteller | |||
| Zugehörige Teile für FQT3P20TF | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
 |
FQT3P20 | FQT3P20 FSC | FSC | ||
 |
FQT1N80 | FQT1N80 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FQT3P20TF-NL | FQT3P20TF-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FQT2P25 | FQT2P25 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FQT1N80TF | FQT1N80TF Original | Original | ||
|
FQT4N20LTF IC | FAIRCHILD SOT223 | FAIRCHILD | ||
|
FQT3P20 MOS | FAIRCHILD SOT-223 | FAIRCHILD | ||
|
FQT4N20LTF | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0 | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FQT3P20TF-SB82100 | MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FQT4N20LTF MOS | FAIRCHILD SOT-223 | FAIRCHILD | ||
|
FQT1N80 MOS | FAIRCHILD SOT-223 | FAIRCHILD | ||
|
FQT4N20LTF | MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4 | onsemi | ||
 |
FQT2P25TF | MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4 | onsemi | ||
|
FQT1N80TF_WS | MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223 | N/A | ||
|
FQT3P20TF MOS | FAIRCHILD SOT-223 | FAIRCHILD | ||
|
FQT4N20 | FQT4N20 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FQT4N20L | FQT4N20L FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FQT2P25 MOS | FAIRCHILD SOT-223 | FAIRCHILD | ||
|
FQT1N80TF-WS | MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3 | onsemi | ||
|
FQT3P20TF_SB82100 | 1-ELEMENT, P-CHANNEL POWER MOSFE | Fairchild Semiconductor | ||
Nachrichten
Mehr
Der PolarRire® Soc FPGA von Microchip hat eine AEC -Q100 -Zertifizierung erhalten und die Zuverlässigkeit unter harten Automobilbedingungen bestäti...
Das PSOCTM 4000T ist das erste Produkt von Infineon, das die CapSense ™ -Technologie der fünften Generation und die Multi-Sense-Funktionalität des ...
Ein Automobil -Manager für Autoteile ergab, dass die EV -Entwicklung auf dem nordamerikanischen Markt ins Stocken geraten ist, da die Autohersteller ...
Infineon und Estron erweitern ihre Zusammenarbeit mit der Zusammenarbeit zwischen AI Battery Management System (BMS) in Industrie- und Unterhaltungsel...
Auf Semiconductor kündigte kürzlich den Start des ITOF-Sensors in Echtzeit, die Hyperlux-ID-Serie, die eine hochpräzise Langstreckenmessung und die...
Neue Produkte
Mehr
PD30 Serie Photoelektrischer Sensor Die Miniatur-Lichtschranken von Carlo Gavazzi sind leistungsstar...
XC112 / XR112 Evaluierungskit für das gepulste kohärente Radar A111Acconeers XC112 und XR112 Evaluierungskit mit flachen flexiblen Kabeln und Unters...
MINAS A6-Serie Servoantriebe und Motoren Panasonics MINAS A6-Familie gewährleistet einen stabilen B...
UV-LED-Treiberplatine RayVios UV-LED-Treiberplatine für XE- und XP1-UV-C-Emitter RayVios ultravio...
Industrieller und erweiterter Test DDR SDRAM Insignis 'DDR SDRAM-Bausteine garantieren den Betri...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966HINZUFÜGEN: Rm 2703 27F Ho King Kommunikationszentrum 2-16,
Fa Yuen St. MongKok Kowloon, Hong Kong.
Copyright-Hinweis © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle Rechte vorbehalten.