Produktmodell

FDG6332C

Einführung

Mosfet Array N und P-Kanal 20V 700mA, 600mA

Marke und Hersteller

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Merkmale

N- und P-Kanal, Logikpegel-Gatter, Oberflächenmontagetechnologie, bleifrei, RoHS-konform

Produktleistung

Drain-Source-Spannung: 20V, kontinuierlicher Drain-Strom: 700mA (N-Kanal), 600mA (P-Kanal), Rds On (max): 300 mOhm bei 700mA, 4.5V, Gate-Ladung (Qg) (max): 1.5nC bei 4.5V, Eingangs-Kapazität (Ciss) (max): 113pF bei 10V

Technische Spezifikationen

Leistung - Max: 300mW, Spannung - Ausgang: PowerTrench, Vgs(th) (max) @ Id: 1.5V bei 250µA

Abmessungen, Form und Verpackung

6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Gehäuse, Liefergerät-Paket: SC-70-6, Verpackung: Tape & Reel (TR)

Qualität und Zuverlässigkeit

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel (MSL): 1 (unbegrenzt)

Produktvorteile

Hohe Effizienz mit PowerTrench-Technologie, niedriger Einschaltwiderstand, hohe thermische Leistung

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähiger Preis mit robusten Leistungskennzahlen in seiner Klasse

Kompatibilität

Kompatibel mit Logikpegel-Anwendungen

Standardzertifizierung und Konformität

Bleifrei, RoHS-konform

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Robustes Design, das für den langfristigen Einsatz in verschiedenen Umgebungen vorgesehen ist

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Eingesetzt in der Energieverwaltung, Schaltungstechnik und Verstärkungsanwendungen in verschiedenen Sektoren, einschließlich Unterhaltungselektronik, Automobil und Industriesysteme

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