| FDA28N50F | |
|---|---|
| Artikelnummer | FDA28N50F |
| Hersteller | onsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN |
| Verfügbare Menge | 9350 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.FDA28N50F.pdf2.FDA28N50F.pdf3.FDA28N50F.pdf4.FDA28N50F.pdf5.FDA28N50F.pdf6.FDA28N50F.pdf7.FDA28N50F.pdf8.FDA28N50F.pdf9.FDA28N50F.pdf |
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| FDA28N50F Price |
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| Technische Information von FDA28N50F | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | FDA28N50F | Kategorie | |
| Hersteller | onsemi | Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN |
| Paket / Fall | TO-3PN | Verfügbare Menge | 9350 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-3PN |
| Serie | UniFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 14A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 310W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Paket | Tube | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5387 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 28A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FDA28 | FDA28N50F Einzelheiten PDF [English] | FDA28N50F PDF - EN.pdf |
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Produktmodell
FDA28N50F
Einführung
Der N-Kanal 500V 28A MOSFET ist für Anwendungen im Bereich des hocheffizienten Energiemanagements konzipiert.
Marke und Hersteller
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Merkmale
Hochspannungsfähigkeit bis zu 500V, kontinuierlicher Drainstrom von 28A bei 25°C, niedriger Rds(on) von 175 mOhm zur Maximierung der Effizienz, hohe Leistungsdissipation von 310W, Durchführungsmontage für einfache Installation.
Produktleistung
Wirkt effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis 150°C, unterstützt eine Gate-Ladung von 105nC bei 10V, Eingangs-Kapazität von 5387pF bei 25V, Ansteuerspannung von 10V für optimales Rds On.
Technische Spezifikationen
FET Typ: N-Kanal, Drain to Source Spannung (Vdss): 500V, Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25°C: 28A, Rds On (max) @ Id, Vgs: 175 mOhm, Vgs(th) (max) @ Id: 5V, Gate Charge (Qg) (max) @ Vgs: 105nC, Eingangs-Kapazität (Ciss) (max) @ Vds: 5387pF, Ansteuerspannung (max Rds On, min Rds On): 10V.
Abmessungen, Form und Verpackung
Gehäuse / Bauform: TO-3P-3, SC-65-3, Anbieter-Bauteilverpackung: TO-3PN, Verpackung: Röhren.
Qualität und Zuverlässigkeit
Blei frei und RoHS-konform, Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): 1 (unbegrenzt).
Produktvorteile
Hohe Spannungs- und Stromfähigkeiten geeignet für anspruchsvolle Anwendungen, niedriger Einschaltwiderstand hilft, Leistungsverluste zu reduzieren.
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Wettbewerbsfähige Lieferzeit von 6 Wochen, Teil der UniFET-Serie, bekannt für Zuverlässigkeit und Leistung.
Kompatibilität
Kompatibel mit Standardverfahren für Durchführungsmontage.
Standardzertifizierung und Konformität
Blei-frei-Status / RoHS-Status: Blei-frei / RoHS-konform.
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Langlebige Konstruktion geeignet für industrielle Anwendungen mit einem breiten Betriebstemperaturbereich.
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Stromversorgungseinheiten, Motorsteuerungen, Wechselrichter-Schaltungen, Schaltbetrieb-Energieversorgungen.
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| FDA28N50F-Lager | FDA28N50F Preis | FDA28N50F-Elektronik | |||
| FDA28N50F-Komponenten | FDA28N50F Inventar | FDA28N50F Digikey | |||
| Lieferant FDA28N50F | FDA28N50F online bestellen | Anfrage FDA28N50F | |||
| FDA28N50F-Bild | FDA28N50F Bild | FDA28N50F PDF | |||
| FDA28N50F Datenblatt | FDA28N50F Datenblatt herunterladen | Hersteller | |||
| Zugehörige Teile für FDA28N50F | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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FDA28N50 | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN | onsemi | ||
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FDA4100LV | IC AMP D DUAL/QUAD 270W 92HIQUAD | STMicroelectronics | ||
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FDA38N30 | MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN | onsemi | ||
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