Produktmodell

FCPF16N60

Einführung

Hochspannung-N-Kanal-MOSFET

Marke und Hersteller

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Merkmale

MOSFET-Technologie für Leistung, niedriger Gate-Charge, hohe Strombelastbarkeit, niedriger Rds(on)

Produktleistung

Hohe Spannungstoleranz bis 600V, kontinuierlicher Durchflussstrom von 16A bei 25°C, Leistungsabgabe von 37,9W bei 25°C, robuste thermische Leistung

Technische Spezifikationen

FET-Typ: N-Kanal, Drain zur Quelle Spannung (Vdss): 600V, Durchflussstrom - Kontinuierlich (Id) @ 25°C: 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 8A, 10V, Gate-Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V, Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V, Ansteuer-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V

Abmessungen, Form und Verpackung

Befestigungstyp: Durchlochung, Gehäuse: TO-220-3 Vollgehäuse, Anbietergeräteverpackung: TO-220F-3, Verpackung: Röhre

Qualität und Zuverlässigkeit

Feuchteempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt), Bleifrei-Status / RoHS-Status: Kadmiumfrei / RoHS-konform

Produktvorteile

Effiziente Leistungsumwandlung, geringe Gleichstromverluste, Reduzierung der Schaltverluste

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Hoch wettbewerbsfähig in Hochspannungsanwendungen

Kompatibilität

Kompatibel mit standardmäßigen TO-220F-3-Steckverbindungen und Kühlkörpern

Standardzertifizierung und Konformität

RoHS: Kadmiumfrei / RoHS-konform

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Langlebig bei hohen Betriebstemperaturen (-55°C bis 150°C)

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Netzteilgeräte, Inverter, Leistungsschaltkreise, Motorsteuerungssysteme

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