7MBR50VN120-50 | |
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Artikelnummer | 7MBR50VN120-50 |
Hersteller | FUJI |
Beschreibung | IGBT Modules |
Verfügbare Menge | 3092 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | 7MBR50VN120-50.pdf |
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Technische Information von 7MBR50VN120-50 | |||
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Hersteller-Teilenummer | 7MBR50VN120-50 | Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Hersteller | FUJI | Beschreibung | IGBT Modules |
Paket / Fall | Verfügbare Menge | 3092 pcs | |
Bedingung | New Original Stock | Garantie | 100% Perfect Functions |
Vorlaufzeit | 2-3days after payment. | Zahlung | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union |
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7MBR50VN120-50
IGBT-Modul
FUJI
Hohe Schaltgeschwindigkeit, niedrige Sättigungsspannung, integrierter Gate-Antriebsschaltkreis, isolierte Grundplatte
Effiziente Energieumwandlung, hohe thermische Leistung, verbesserte Haltbarkeit bei Hochfrequenzbetrieben
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V, Kollektor-Strom: 50A, Gate-Emitter-Spannung: ±20V
Rechteckiges Modul, standardisierte Verpackung zum Schutz des Moduls
Konstante Leistung unter variablen Bedingungen, langfristige Zuverlässigkeit in industriellen Anwendungen
Energieeffizient, hohe Leistungsdichte, reduzierte Systemkomplexität
Wettbewerbsfähige Positionierung im Markt für Leistungselektronik, ideal für Hochleistungsanwendungen
Kompatibel mit Standard-Gate-Antriebsspannungen, flexibel für den Einsatz in verschiedenen Schaltungstopologien
Entspricht globalen Industriestandards für Sicherheit und Leistung
Für eine lange Betriebsdauer ausgelegt, minimiert Energieverschwendung
Antriebe für Elektrofahrzeuge, Energiemanagementsysteme, Wechselrichter für erneuerbare Energien, industrielle Motorantriebe
7MBR50VN120-50-Lager | 7MBR50VN120-50 Preis | 7MBR50VN120-50-Elektronik | |||
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