7MBR50VN120-50
Artikelnummer 7MBR50VN120-50
Hersteller FUJI
Beschreibung IGBT Modules
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Hersteller-Teilenummer 7MBR50VN120-50 Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller FUJI Beschreibung IGBT Modules
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Produktmodell

7MBR50VN120-50

Einführung

IGBT-Modul

Marke und Hersteller

FUJI

Merkmale

Hohe Schaltgeschwindigkeit, niedrige Sättigungsspannung, integrierter Gate-Antriebsschaltkreis, isolierte Grundplatte

Produktleistung

Effiziente Energieumwandlung, hohe thermische Leistung, verbesserte Haltbarkeit bei Hochfrequenzbetrieben

Technische Spezifikationen

Maximale Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V, Kollektor-Strom: 50A, Gate-Emitter-Spannung: ±20V

Abmessungen, Form und Verpackung

Rechteckiges Modul, standardisierte Verpackung zum Schutz des Moduls

Qualität und Zuverlässigkeit

Konstante Leistung unter variablen Bedingungen, langfristige Zuverlässigkeit in industriellen Anwendungen

Produktvorteile

Energieeffizient, hohe Leistungsdichte, reduzierte Systemkomplexität

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähige Positionierung im Markt für Leistungselektronik, ideal für Hochleistungsanwendungen

Kompatibilität

Kompatibel mit Standard-Gate-Antriebsspannungen, flexibel für den Einsatz in verschiedenen Schaltungstopologien

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht globalen Industriestandards für Sicherheit und Leistung

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für eine lange Betriebsdauer ausgelegt, minimiert Energieverschwendung

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Antriebe für Elektrofahrzeuge, Energiemanagementsysteme, Wechselrichter für erneuerbare Energien, industrielle Motorantriebe

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