7MBR25NF-120
Artikelnummer 7MBR25NF-120
Hersteller FUJI
Beschreibung IGBT Modules
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Technische Information von 7MBR25NF-120
Hersteller-Teilenummer 7MBR25NF-120 Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller FUJI Beschreibung IGBT Modules
Paket / Fall IGBT Module Verfügbare Menge 1001 pcs
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Produktmodell

7MBR25NF-120

Einführung

IGBT-Leistungstransistor-Modul

Marke und Hersteller

FUJI

Merkmale

Integriertes Gate Bipolar Transistor (IGBT)-Modul, Hochgeschwindigkeitsschalten, Geringer Leistungsverlust, Hohe Spannungsfähigkeit

Produktleistung

Hochwertige thermische Leistung, Robuste Modulbauweise, Verbesserte Schaltkreiseffizienz

Technische Spezifikationen

Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V, Kollektorstrom: 25A, Leistungsabgabe: Variiert je nach Bedingungen

Abmessungen, Form und Verpackung

Standardmodulverpackung, Spezifische Abmessungen im Datenblatt verfügbar

Qualität und Zuverlässigkeit

Nach hohen FUJI-Qualitätsstandards gefertigt, Robust gegenüber Umweltbedingungen, Langfristige Leistungssicherheit

Produktvorteile

Energieeffiziente Betriebsweise, Langlebige und zuverlässige Leistung, Geeignet für Hochfrequenzanwendungen

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähig im IGBT-Modulmarkt positioniert, Starkes Leistungs-Kosten-Verhältnis

Kompatibilität

Kompatibel mit Standard-IGBT-Treibern und Schaltungen

Standardzertifizierung und Konformität

Erfüllt globale Halbleiterstandards, Zertifizierungen im technischen Dokumentationsmaterial verfügbar

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für eine verlängerte Betriebsdauer ausgelegt, Komponenten zur Reduzierung von Umweltauswirkungen

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Eingesetzt in Motorantrieben, Geeignet für Wechselrichter und Umrichter, Anwendbar in Lösungen für die Leistungselektronik

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