2MBI50S-120
Artikelnummer 2MBI50S-120
Hersteller FUJI
Beschreibung IGBT Modules
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Technische Information von 2MBI50S-120
Hersteller-Teilenummer 2MBI50S-120 Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller FUJI Beschreibung IGBT Modules
Paket / Fall Verfügbare Menge 2630 pcs
Bedingung New Original Stock Garantie 100% Perfect Functions
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Produktmodell

2MBI50S-120

Einführung

IGBT-Modul

Marke und Hersteller

FUJI

Merkmale

Hohe Spannungsfähigkeit, geringer Energieverlust, Hochfrequenzbetrieb

Produktleistung

Robuste thermische Leistung, effiziente Leistungsumwandlung, verbesserte Signalverarbeitung

Technische Spezifikationen

Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V, Kollektorstrom: 50A, Isolationsspannung: 2500V, Gate-Emitter-Spannung: ±20V

Abmessungen, Form und Verpackung

Modulgehäuse, standardisierte Industrieabmessungen, verkauft in Einzel- oder Großverpackungen

Qualität und Zuverlässigkeit

Strenge Fertigungsstandards, hohe Zuverlässigkeit unter verschiedenen Betriebsbedingungen

Produktvorteile

Energiesparende Technologie, einfache Installation und Wartung

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Hoch wettbewerbsfähig in der Leistungselektronik, kosteneffizient für Hochleistungssysteme

Kompatibilität

Kompatibel mit verschiedenen Gate-Treibern und Controllern

Standardzertifizierung und Konformität

Einhaltung internationaler Standards, RoHS-konform

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Lange Betriebslebensdauer, entworfen für Langlebigkeit und Recyclingfähigkeit

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Wechselrichter, Stromversorgungen, Antriebe für Elektrofahrzeuge, Systeme für erneuerbare Energien

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