2MBI450UE-120
Artikelnummer 2MBI450UE-120
Hersteller FUJI
Beschreibung IGBT Modules
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Technische Information von 2MBI450UE-120
Hersteller-Teilenummer 2MBI450UE-120 Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller FUJI Beschreibung IGBT Modules
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Produktmodell

2MBI450UE-120

Einführung

IGBT-Modul für Hochleistungs-Schaltanwendungen

Marke und Hersteller

FUJI

Merkmale

Integriertes Gate-Bipolar-Transistor-Modul, hohe Spannungsfestigkeit, niedriger Leistungs Verlust, Hochgeschwindigkeits-Schalten, effiziente Stromleitfähigkeit

Produktleistung

Exzellente thermische Eigenschaften, robuste Leistung unter extremen Bedingungen, niedrige Sättigungsspannung, reduzierte EMI-Emissionen

Technische Spezifikationen

Kollektor-Emitter-Spannung: 1200 V, Kollektorstrom: 450 A, Wärmeverlust

Abmessungen, Form und Verpackung

Standardmodulverpackung, kompakte Abmessungen für die Integration

Qualität und Zuverlässigkeit

Hohe MTBF, konsistente Leistung, strenge Qualitätstests bestanden

Produktvorteile

Energieeinsparung, geringer Wartungsbedarf, hohe Stromdichte

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähige Preise, bevorzugte Wahl für industrielle Anwendungen

Kompatibilität

Kompatibel mit verschiedenen Controllern und Treibern, flexible Integration mit unterschiedlichen Schaltungssystemen

Standardzertifizierung und Konformität

Zertifiziert nach internationalen Sicherheitsstandards, RoHS-konform

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Lange Betriebslebensdauer, reduzierter CO2-Fußabdruck durch effiziente Betriebstätigkeit

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Industrielle Motorantriebe, erneuerbare Energiesysteme, Stromrichter und -wandler, Bahntechniksysteme

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