2MBI300NT-120-02
Artikelnummer 2MBI300NT-120-02
Hersteller FUJI
Beschreibung IGBT Modules
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Hersteller-Teilenummer 2MBI300NT-120-02 Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller FUJI Beschreibung IGBT Modules
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Produktmodell

2MBI300NT-120-02

Einführung

IGBT (Isolierter Gate-Bipolar-Transistor) Modul, das für Leistungsanwendungen entwickelt wurde.

Marke und Hersteller

FUJI

Merkmale

Dual-IGBT-Modul für hohe Strombelastbarkeit.

Effiziente Schaltfähigkeit.

Entwickelt für hohe Leistungsausgabe.

Produktleistung

Maximale Stromstärke: 300A

Maximale Spannung: 1200V

Niedriger Durchlassspannungsabfall zur Reduzierung des Energieverlusts.

Technische Spezifikationen

Isolierter Gate-Bipolar-Transistor (IGBT) Technologie.

Dual-Modulkonfiguration.

Leistungabfuhr: 135W

Interne Freilaufdiode.

Abmessungen, Form und Verpackung

Kompakte Modulbauweise.

Abmessungen: 94mm x 51mm x 26mm

In einem robusten Gehäuse eingeschlossen.

Qualität und Zuverlässigkeit

Entwickelt für hohe Zuverlässigkeit und Haltbarkeit.

Getestet für den langfristigen Einsatz in industriellen Anwendungen.

Produktvorteile

Effizientes Schalten reduziert Energieverschwendung.

Hohe Stromund Spannungskapazität.

Kompakte Größe erleichtert die Integration.

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

FUJIs Ruf für qualitativ hochwertige Leistungselektronik.

Ideal für Hochleistungsanwendungen.

Wettbewerbsfähige Preise im IGBT-Modul-Markt.

Kompatibilität

Kompatibel mit einer Vielzahl von leistungselektronischen Anwendungen.

Geeignet für den Einsatz in Industriemaschinen, erneuerbaren Energiesystemen und Antriebssteuerungen.

Standardzertifizierung und Konformität

Erfüllt relevante Industriestandards.

Entspricht Sicherheitsund Umweltvorschriften.

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Lange Betriebslebensdauer.

Energieeffizientes Design trägt zur Nachhaltigkeit bei.

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Industrieautomatisierung und Maschinen.

Erneuerbare Energiesysteme wie Solarund Windenergie.

Antriebssteuerungen und Wechselrichter.

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