2MBI100U4A120-50
Artikelnummer 2MBI100U4A120-50
Hersteller Fe
Beschreibung IGBT Modules
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Hersteller-Teilenummer 2MBI100U4A120-50 Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller Fe Beschreibung IGBT Modules
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Produktmodell

2MBI100U4A120-50

Einführung

IGBT-Modul für Hochleistungs-Schalt- und Wechselrichteranwendungen

Marke und Hersteller

Fe

Merkmale

Hohe Effizienz und Geschwindigkeit, niedriger Stromverbrauch, integrierte Diode für Freilaufanwendungen, optimiert für Hochfrequenzbetrieb

Produktleistung

Hohe Spannungsfestigkeit bis zu 1200V, Stromkapazität von 100A, niedriger thermischer Widerstand, schnelle Schaltfähigkeiten

Technische Spezifikationen

Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V, Kollektorstrom: 100A, Leistungsdissipation: abhängig von den Einsatzbedingungen, Gate-Emitter-Spannung: ±20V

Abmessungen, Form und Verpackung

Standardmodulgröße, rechteckige Form, sicher verpackt für sicheren Transport und Handhabung

Qualität und Zuverlässigkeit

Für anspruchsvolle industrielle Anwendungen gebaut, hohe Zuverlässigkeit unter variablen Umweltbedingungen, lange Lebensdauer mit minimaler Degradation

Produktvorteile

Steigert die Systemeineffizienz, senkt die Betriebskosten, robuste thermische Leistung erhöht die Langlebigkeit

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähiger Preis im IGBT-Modul-Markt, bietet überlegene Leistungskennzahlen im Vergleich zu ähnlichen Modellen

Kompatibilität

Kompatibel mit standardmäßigen IGBT-Treibern und Controllern, flexible Integration in bestehende Systeme

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht den wichtigsten internationalen Sicherheits- und Betriebsstandards

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für langfristige Haltbarkeit ausgelegt, umweltfreundliche Materialien minimieren den ökologischen Fußabdruck

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Erneuerbare Energiesysteme, Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge, industrielle Motorantriebe, Energiemanagementsysteme

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