1MBI200L-120L-120 | |
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Artikelnummer | 1MBI200L-120L-120 |
Hersteller | FUJI |
Beschreibung | IGBT Modules |
Verfügbare Menge | 2581 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | 1MBI200L-120L-120.pdf |
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Technische Information von 1MBI200L-120L-120 | |||
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Hersteller-Teilenummer | 1MBI200L-120L-120 | Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Hersteller | FUJI | Beschreibung | IGBT Modules |
Paket / Fall | Verfügbare Menge | 2581 pcs | |
Bedingung | New Original Stock | Garantie | 100% Perfect Functions |
Vorlaufzeit | 2-3days after payment. | Zahlung | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union |
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1MBI200L-120
IGBT-Modul
FUJI
Technologie des isolierten Gate-Bipolartransistors, niedrige Energieverluste, hohe Schaltgeschwindigkeit, integrierte Freilaufdiode
Effiziente Modulation der elektrischen Leitfähigkeit, optimiert für Hochspannungsanwendungen bis zu 1200 Volt
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200 V; Kollektorstrom: 200 A; Gate-Emitter-Spannung: ±20 V; Verlustleistung: 780 W
Modultyp; Standardverpackung; Abmessungen gemäß Produktspezifikation
Hohe thermische und elektrische Stabilität, lange Lebensdauer, entspricht internationalen Zuverlässigkeitsstandards
Verbesserte thermische Leistung, niedrige Schalt- und Leitungsverluste, robuste Modulbauweise
Wettbewerbsfähig in Hochleistungsanwendungen, geeignet für anspruchsvolle Umgebungen
Kompatibel mit Standard-Gate-Treibern, flexible Integration in bestehende Systeme
Entspricht globalen Industriestandards für Sicherheit und Leistung
Für langfristige Zuverlässigkeit ausgelegt, Nachhaltigkeit durch energieeffiziente Leistung
Erneuerbare Energiesysteme, Elektrofahrzeug-Antriebssysteme, industrielle Motorantriebe, Leistungsmanagementsysteme
1MBI200L-120L-120-Lager | 1MBI200L-120L-120 Preis | 1MBI200L-120L-120-Elektronik | |||
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