1MBI200L-120L-120
Artikelnummer 1MBI200L-120L-120
Hersteller FUJI
Beschreibung IGBT Modules
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Technische Information von 1MBI200L-120L-120
Hersteller-Teilenummer 1MBI200L-120L-120 Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller FUJI Beschreibung IGBT Modules
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Produktmodell

1MBI200L-120

Einführung

IGBT-Modul

Marke und Hersteller

FUJI

Merkmale

Technologie des isolierten Gate-Bipolartransistors, niedrige Energieverluste, hohe Schaltgeschwindigkeit, integrierte Freilaufdiode

Produktleistung

Effiziente Modulation der elektrischen Leitfähigkeit, optimiert für Hochspannungsanwendungen bis zu 1200 Volt

Technische Spezifikationen

Kollektor-Emitter-Spannung: 1200 V; Kollektorstrom: 200 A; Gate-Emitter-Spannung: ±20 V; Verlustleistung: 780 W

Abmessungen, Form und Verpackung

Modultyp; Standardverpackung; Abmessungen gemäß Produktspezifikation

Qualität und Zuverlässigkeit

Hohe thermische und elektrische Stabilität, lange Lebensdauer, entspricht internationalen Zuverlässigkeitsstandards

Produktvorteile

Verbesserte thermische Leistung, niedrige Schalt- und Leitungsverluste, robuste Modulbauweise

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähig in Hochleistungsanwendungen, geeignet für anspruchsvolle Umgebungen

Kompatibilität

Kompatibel mit Standard-Gate-Treibern, flexible Integration in bestehende Systeme

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht globalen Industriestandards für Sicherheit und Leistung

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für langfristige Zuverlässigkeit ausgelegt, Nachhaltigkeit durch energieeffiziente Leistung

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Erneuerbare Energiesysteme, Elektrofahrzeug-Antriebssysteme, industrielle Motorantriebe, Leistungsmanagementsysteme

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