FF200R06KE3 Datenblatt, Funktionen und industrielle Anwendungen
2025-04-03 184

Der FF200R06KE3 von Infineon Technologies ist eine leistungsstarke Komponente, die zur effizienten Verwaltung hoher Strombedürfnisse verwendet wird.Dieses Modul ist in kleiner Größe gepackt, bietet jedoch eine hohe Leistung mit fortschrittlicher IGBT -Technologie und besonderen Funktionen für eine bessere Effizienz.In diesem Artikel werden die wichtigsten Funktionen, Design und Vorteile des Moduls erläutert und seine Rolle in verschiedenen Anwendungen betont.

Katalog

FF200R06KE3 -Übersicht

Der FF200R06KE3, von Infineon Technologies gefertigt, ist ein doppeltes isoliertes Gate Bipolar Transistor (IGBT) -Modul, das mit seinem 600 V, 200 A -Spezifikationen auffällt.In einem kompakten 62 -mm -Paket eingeschlossen, kombiniert es die Trenchstop ™ IGBT3 -Technologie mit einer Emitter -kontrollierten 3 -Diode.Diese Integration steigert sowohl die Effizienz als auch die Leistung und macht sie zu einer Top -Wahl für Anwendungen, die ein robustes Stromverwaltung erfordern.

Für diejenigen, die Massenbestellungen aufgeben möchten, bietet der FF200R06KE3 eine zuverlässige und leistungsstarke Lösung, um Ihre Anforderungen zu erfüllen.

FF200R06KE3 -Funktionen

• Spannungs- und Strombewertungen: In der Lage, bis zu 600 V und 200 a zu handhaben, wodurch es für Hochleistungsanwendungen geeignet ist.

• Fortschrittliche Technologie: Verwendet Trenchstop ™ IGBT3 und Emitter kontrollierte 3 Diodentechnologien für optimierte Schalteigenschaften, einschließlich verbesserter Weichheit und verringerter Schaltverluste.

• Hohe Betriebstemperatur: Entwickelt, um bei Temperaturen bis zu 150 ° C zu arbeiten, um die Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen zu gewährleisten.

• Montagestil: Verfügt über ein Schraubenhalterdesign für sichere und unkomplizierte Installation.

• UL/CSA -Zertifizierung: Zertifiziert unter UL1557 E83336, erfüllen strenge Sicherheits- und Leistungsstandards.

• ROHS Compliance: Entspricht der Einschränkung der Richtlinie mit gefährlichen Substanzen, die ihr umweltfreundliches Design widerspiegeln.

FF200R06KE3 -Spezifikationen

Maximale Nennwerte

Charakteristische Werte

FF200R06KE3 -Schaltplan

Das Schaltungsdiagramm zeigt die interne Struktur des FF200R06KE3 -IGBT -Moduls.Es verfügt über zwei IGBT-Transistoren, die in einer Halbbrückenkonfiguration verbunden sind, was beim Schalten von Anwendungen wie Wechselrichtern und Motorantrieben üblich ist.Die Terminals 1 und 3 sind die Sammler jeder IGBT, während Terminals 2 und 4 die Emitter sind.Jede IGBT ist mit einer anti-parallelen Diode kombiniert, sodass der Strom während des Schaltens in die entgegengesetzte Richtung fließen kann.Die Terminals 5 und 6 stellen die Gate -Steuerelemente für die IGBTs dar, und Terminal 7 ist eine gemeinsame Emitterverbindung.Dieses Layout unterstützt eine effiziente Schaltung und eine zuverlässige Reverse-Wiederherstellung durch die eingebauten Dioden.Es ist für hohe Strömungen und Spannungen mit reduziertem Stromverlust ausgelegt.Der FF200R06KE3 ist eine praktische Lösung für Systeme, die eine stabile Hochleistungsschaltung benötigen.

FF200R06KE3 Alternativen

• AMFF200R06KE3

• FF200R12KE3

• FF300R06KE3

• FF200R06KE3HOSA1

• FF200R06KE3-B2

FF200R06KE3 -Anwendungen

Frequenzkontrollierte Wechselrichterantriebe

Die optimierten Schalteigenschaften des Moduls, wie z. B. verringerte Schaltverluste und verbesserte Weichheit, verbessern die Leistung und Effizienz von Wechselrichtersystemen.​

Industriemotorfahrten

Der FF200R06KE3 ist in der Lage, hohe Ströme und Spannungen zu bewältigen, und eignet sich gut für die Kontrolle großer Industriemotoren und bietet einen zuverlässigen und präzisen Motorbetrieb.

Netzteile

Die Hochleistungsbeschaffungsfunktionen des Moduls machen es ideal für die Verwendung in Stromversorgungseinheiten, die eine effiziente Energieumwandlung und -bewirtschaftung erfordern.

Erneuerbare Energiesysteme

In Anwendungen wie Solar- und Windenergieumwandlung kann der FF200R06KE3 verwendet werden, um die effiziente Übertragung und Umwandlung von Energie aus erneuerbaren Quellen zu verwalten.

FF200R06KE3 -Paketumriss

Das Verpackungsdiagramm des FF200R06KE3 zeigt ein detailliertes mechanisches Layout des Moduls.Es verwendet ein Standardgehäuse von 62 mm, der 106,4 mm Länge und 62 mm Breite misst.Das Modul verfügt über drei Hauptterminals für Stromverbindungen, die jeweils gleichmäßig 28 mm voneinander entfernt sind und die Löcher an beiden Enden für die sichere Installation befinden.Die Höhe des Gehäuses beträgt etwa 30 mm, einschließlich der terminalen Stifte.Es enthält einen 7-poligen Steueranschluss (DIN46244-A2.8-0.5-BZ) an der Seite für Gate- und Emittersignalsteuerung.Die Zeichnung legt auch Montagetiefen (mindestens 7 mm, maximal 10 mm) und Toleranzen gemäß den ISO2768 -Standards fest.Mit diesem standardisierten Umriss können Sie das Modul einfach in Ihre Designs mit präziser Montage und Verkabelung integrieren.

FF200R06KE3 Vorteile

Hohe Effizienz: Mithilfe der fortschrittlichen IGBT-Technologie erreicht das Modul einen geringen Spannungsabfall auf dem Zustand, was zu verringerten Leitungsverlusten und einer verbesserten Gesamtwirkungsgrad führt.

Robuste thermische Leistung: Der FF200R06KE3 wurde für eine gute thermische Stabilität entwickelt und kann unter hohen Temperaturbedingungen effektiv arbeiten, um eine konsistente Leistung und Langlebigkeit zu gewährleisten.

Benutzerfreundlichkeit: Das Modul verfügt über ein Schraubenhalterdesign, das in verschiedenen Systemen eine einfache und sichere Installation erleichtert.​

Kompaktes Design: Mit einer Länge von 106,4 mm bietet der FF200R06KE3 einen kompakten Formfaktor, der den effizienten Nutzung des Raums innerhalb von Geräten und Systemen ermöglicht.​

Hersteller

Infineon Technologies AG mit Hauptsitz in Neubiberg ist ein führender globaler Halbleiterhersteller.Infineon wurde 1999 als Spin-off der Siemens AG gegründet und wurde zu einem der zehn besten Halbleiterunternehmen der Welt.Das Unternehmen beschäftigt rund 58.000 Mitarbeiter und meldete 2024 einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro.

FF200R06KE3 gegen FF200R12KE3 Vergleich

Parameter	FF200R06KE3	FF200R12KE3
Sammler-Emitter-Spannung (vCES)	600 V	1200 V
Kontinuierlicher Sammlerstrom (ichC)	200 a	200 a
Paketart	62 mm	62 mm
IGBT -Technologie	Trenchstop ™ IGBT3	Trenchstop ™ IGBT3
Diodentechnologie	Emitter kontrollierte 3 Diode	Emitter kontrollierte hocheffiziente Diode
Betriebsübergangstemperatur (tvj op)	Bis zu 150 ° C.	Bis zu 125 ° C.
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung (V)Cesat)	1,9 V bei VGe = 15 V, IC = 200 a	2,0 V bei vGe = 15 V, IC = 200 a
Eingangskapazität (Cies)	13.0 NF	14.0 NF
Rückwärtsübertragungskapazität (CRES)	0,5 nf	0,5 nf
Gate Ladung (QG)	1,9 µc	1,9 µc
Interner Gate -Widerstand (Rgint)	3,8 Ω	3,8 Ω
Zeitschaltzeit (tDon))	0,25 µs	0,25 µs
Anstiegszeit (TR)	0,09 µs	0,09 µs
Ausschaltungsverzögerungszeit (td (aus))	0,55 µs	0,55 µs
Fallzeit (TF)	0,13 µs	0,13 µs
Total Power Dissipation (p)Knirps)	680 w	1050 w
Isolationstestspannung (vIsolierung)	2500 V	2500 V
Gewicht	340 g	340 g
Montagestil	Schraubenhalterung	Schraubenhalterung
Zertifizierung	UL1557 E83336	UL1557 E83336
ROHS Compliance	Ja	Ja

Abschluss

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass das FF200R06KE3 -Modul aus Infineon Technologies Innovationen im Energieverwaltung zeigt.Es wird entwickelt, um eine breite Palette von anspruchsvollen Anwendungen mit hoher Effizienz und robuster Leistung zu unterstützen.Dieser Artikel zeigt, warum der FF200R06KE3 eine zuverlässige Wahl für alle ist, die fortschrittliche Leistungslösungen benötigt, was es zu einem wertvollen Instrument in modernen industriellen Umgebungen macht.

Datenblatt PDF

FF200R06KE3 Datenblatt:

FF200R06KE3.PDF
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