Infineon gibt den Semiconductor -Ausblick von 2025 Gan Power frei

Der jüngste Bericht von Infineon zeigt, dass Gallium Nitrid (GAN) einen kritischen Einführungspunkt in mehreren Branchen erreicht und die Energieeffizienz verbessert.Mit Vorteilen wie hoher Effizienz, kompakter Größe, leichtem Design und Kostenreduzierung wird GaN bereits in USB-C-Ladegeräten und anderen Unterhaltungselektronik häufig eingesetzt.Die Anwendung wird voraussichtlich weiter in Elektrofahrzeuge (EVS), AI -Rechenzentren, Haushaltsgeräte und Robotik ausgeweitet.

GAN ist entscheidend für die Verbesserung der Leistungsdichte in AI -Rechenzentren und der steigenden Nachfrage nach Rechenleistung.Da sich die Strombedürfnisse von 3,3 kW bis 12 kW entwickeln, optimiert die Hochleistungsdichte von GAN die Rack -Raumauslastung.Darüber hinaus ermöglicht die Integration von GAN in Silicium (SI) und Siliciumcarbid (SIC) ein optimales Gleichgewicht zwischen Effizienz, Leistungsdichte und Systemkosten.

Im Sektor der Haushaltsgeräte verbessert GAN die Energieeffizienz und erhöht die Effizienz in 800-W-Anwendungen um 2% und hilft den Herstellern dabei, Energieeffizienzstandards in der A-Grad zu erreichen.In EVS bieten GAN-Sitz in den in den Gan an Bord gelegenen Ladegeräten und DC-DC-Konvertern eine höhere Ladeeffizienz und Leistungsdichte, wobei die Systeme über 20 kW hinausgehen.Darüber hinaus wird erwartet, dass GaN in Kombination mit SIC 400 V- und 800 -V -Traktionswechselrichter erhöht und die Elektrofahrzeuge verlängert.

Die Robotikbranche wird auch von der kompakten Größe und hoher Leistung von GAN profitieren und die Fortschritte bei Lieferdrohnen, assistiven Robotern und humanoiden Robotern vorantreiben.Infineon erhöht seine Investition in die F & E -GAN -F & E und nutzt die 300 -mm -Transistor -Transistor -Technologie für Herstellung und bidirektionaler Schalter (Bidirectional Switch), um seine Führung bei der Digitalisierung und Kohlenstoffreduzierung aufrechtzuerhalten.