Nexperias Serie von Trench 9-Leistungs-MOSFETs, die in erster Linie für die Automobilindustrie bestimmt sind, kombinieren die Niederspannungs-Superjunction-Technologie des Unternehmens mit seinen fortschrittlichen Gehäusefähigkeiten, um hohe Leistung und Robustheit zu liefern. Nexperia erweitert sein Angebot an Automotive-qualifizierten Power-SO8-MOSFETs um Ultra-Low-RDS (EIN) Teile, die der ständig steigenden Nachfrage nach höherer Leistungsdichte in vielen typischen Automobilanwendungen gerecht werden. Die Trench 9-Geräte sind alle für AEC-Q101 qualifiziert und übertreffen die Anforderungen dieses internationalen Automobilstandards um bis zu zwei Mal bei Zuverlässigkeitstests einschließlich Temperaturzyklen, Hochtemperatur-Gate-Vorspannung, Hochtemperatur-Sperrspannung und intermittierender Betriebsdauer.
FPAK56E ist die neueste Innovation in der Familie der Automotive LFPAK-Pakete von Nexperia. LFPAK56E ist eine erweiterte Version des beliebten LFPAK56-Pakets mit einem optimierten Leadframe- und Gehäusedesign, das zu einer Verbesserung von R führtDS (EIN) und Leistungsdichte von bis zu 30%. Diese Verbesserung der Leistungsdichte ermöglicht die Verwendung der Trench 9 LFPAK56 MOSFETs in Anwendungen, die bisher nur mit D möglich waren2PAK und D2PAK-7, das erhebliche Platzeinsparungen bei Leiterplatten ermöglicht.
Die Superjunction-Technologie von Nexperia bietet eine verbesserte Avalanche- und Safe-Operating-Area (SOA) -Fähigkeit im Vergleich zu konkurrierender Technologie, die gewährleistet, dass kritische Geräte selbst unter Fehlerbedingungen überleben. Traditionell werden die meisten Anbieter TrenchMOS-Technologien für Einzelschuss- oder wiederholte Lawinenanwendungen nicht empfehlen. Trench 9 wurde speziell entwickelt, um außergewöhnliche Single-Shot- und repetitive Lawinen-Performance für anspruchsvolle Anwendungs- und Fehlerbedingungen zu bieten. Nexperias trench 9 MOSFET-Datenblätter enthalten Single-Shot- und repetitive Avalanche-Bewertungen.
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